2N7000TA是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 摄像机、 内存条、 交流电源、 电路板、 吸尘器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：2N7000TA
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5Ω@10V TO92-3L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 示波器、 电动车、 智能家居控制系统、 电子驱蚊器、 电子签到系统、 电子净水器、 烟雾报警器、 变压器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| FDA18N50 | 通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN |
| 2N7002LT1G | MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3 |
| FDD120AN15A0 | 表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA |
| BSS84LT1G | SOT23 225mW |
| NTR4003NT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT23 |
| FQPF6N90C | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=6A RDS(ON)=2.3Ω@10V TO220F |
| NTK3134NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
| NTS2101PT1G | MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±8V ID=1.4A RDS(ON)=100mΩ@4.5V SOT323 |
| NTK3043NT1G | MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA |
| FQD2N100TM | 表面贴装型 N 通道 1000 V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252AA |
