2N7002DW_YANGJIE_扬杰科技_SOT-363_MOSFETs

Name: 2N7002DW_YANGJIE_扬杰科技_SOT-363_MOSFETs
Brand: YANGJIE

2N7002DW 型号参数

2N7002DW是品牌YANGJIE扬杰科技，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如光纤连接器、心电图仪、扫地机器人、吉他效果器、无线网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子门禁卡、无线网卡、指纹识别器、电视机、机械硬盘、微波炉、触摸屏、交换机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
YJD18GP10A	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=75mΩ@10V TO252
YJQ40P03A	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：32W
YJL3401A	P沟道增强型场效应晶体管 4.4A 1.2W SOT23
YJL3139KAT	MOSFETs P-沟道 20V 500mA SOT-723-3
YJL2305B	P沟道增强型场效应晶体管
YJL3404A	N沟道增强型场效应晶体管 30V 5.6A 21mΩ@10V,5.6A 1.2W 1.5V@250uA 68pF@15V N Channel 490pF@15V 5.2nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L
2N7002KC	N沟道增强型场效应晶体管 60V 300mA 1.9Ω@10V,300mA 300mW 1.5V@250uA 2pF@30V N Channel 27pF@30V 1.65nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
YJL2312A	N沟道增强型场效应晶体管 20V 6.8A 13.5mΩ@4.5V,6.8A 1.2W 620mV@250uA 75pF@10V N Channel 900pF@10V 9.2nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L
YJL2300A	N沟道增强型场效应晶体管
YJD60N04A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：54W

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