2N7002E-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: 2N7002E-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

2N7002E-T1-GE3 型号参数

2N7002E-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如复印机、心电图仪、调音台、光纤连接器、吉他效果器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如内存条、电子美容仪、智能安防摄像头、 X光机、稳压电源、触摸屏、计算机、电子体温计探头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
IRFL9014TRPBF	MOSFETs P-沟道 60V 1.8A SOT223
SI7619DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8
IRF9610PBF	MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W
2N7002E-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8

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