AOD4185_AOS_美国万代_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: AOD4185_AOS_美国万代_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: AOS

AOD4185 型号参数

AOD4185是品牌AOS美国万代，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手机、 GPS定位器、烤箱、电子加湿器、触摸屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子翻译器、蓝牙耳机、烟雾报警器、智能手机、机器人、血糖仪、 MRI扫描仪、电子温度计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AO4812	MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6A 2W 表面贴装型 8-SOIC
AO3406	30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W
AO4264E	表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A（Ta） 3.1W（Ta） SOIC8
AO4402G	表面贴装型 N 通道 20 V 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
AO4805	MOSFETs Dual P-Channel VDS=30V ID=9A SOIC8_150MIL
AOD4185	TO252 62.5W
AO3409	表面贴装型 P 通道 30 V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
AO4616	MOSFETs N-Channel, P-Channel VDS1=30V ID=8A VDS2=30V ID2=7A PD=2W SOIC8_150MIL
AON7400A	MOSFETs 30V 3.00 x 3.00mm SMT DFN8L_3X3MM-EP 40A N-Channel
AO3480C	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA

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