AP2012_ALLPOWER_铨力_TSSOP-8_MOSFETs

Name: AP2012_ALLPOWER_铨力_TSSOP-8_MOSFETs
Brand: ALLPOWER

AP2012 型号参数

AP2012是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如平板电脑、耳机、功放设备、电子书阅读器、固态硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如计算机、投影仪、电子签到系统、 MP3播放器、功放器、手机充电器、 RFID读写器、空调等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP2012S	N沟道漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
AP2302	SOT23 350mW
AP4085G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：27.8W
AP4616	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
AP2012	双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
AP90P03Q	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：48W
AP90P03G	MOSFETs VDS=30V ID=90A PD=79W PDFN8L_5X6MM
AP2302B	SOT23 0.35W
AP2N7002	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A
AP4438	N沟道功率MOSFET SOT89 VDS=30V VGS=±12V ID=11.8A

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