AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs

Name: AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs
Brand: ALLPOWER

AP2012S 型号参数

AP2012S是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能安防摄像头、电子脱毛器、功放设备、投影仪、光纤连接器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如吉他效果器、液晶显示器、交换机、信号发生器、电子脱毛器、平板电脑、人脸识别设备、 OLED显示屏等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP4008QD	2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
AP3400	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
AP50N06K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
AP2310	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=3A
AP2316	N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A
AP4407C	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.7W
AP2012S	N沟道漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
AP30P30Q	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：1.5W
AP6007S	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W
AP2317A	MOSFETs SOT-23-3 Single P-Channel

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