AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs

Name: AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs
Brand: ALLPOWER

AP2012S 型号参数

AP2012S是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LCD显示屏、 OLED显示屏、电子阅读器、内存条、蓝牙耳机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如实验室离心机、不间断电源（UPS）、 MRI扫描仪、电子血压计、音频线材、电子加湿器、饮水机、电子门锁等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP3908GD	一个N沟道一个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：32W
AP15P03Q	P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-12A 功率(Pd)：900mW
AP4085G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：27.8W
AP4616	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
AP3910GD	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：35W
AP3010	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2.5W
AP4435C	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W
AP2302	SOT23 350mW
AP30H100KA	MOSFETs TO-252 N-Channel Single
AP4407C	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.7W

型号相关

热门型号