AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs

Name: AP2012S_ALLPOWER_铨力_SO8_MOSFETs
Brand: ALLPOWER

AP2012S 型号参数

AP2012S是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、机械硬盘、摄像头、电路板、电视机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如路由器、电磁炉、机器人、网络适配器、安防监控系统、电子净水器、电子词典、汽车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP90P03G	MOSFETs VDS=30V ID=90A PD=79W PDFN8L_5X6MM
AP8810	双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W
AP3908QD	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
AP2012S	N沟道漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
AP3404	N沟道功率 MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=5.8A
AP20P30Q	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W
AP2N7002	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A
AP4435C	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W
AP4953A	2个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：2W
AP4910GD	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：30/-40A 功率(Pd)：45W

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