BVSS84LT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: BVSS84LT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

BVSS84LT1G 型号参数

BVSS84LT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能安防摄像头、电子罗盘、单片机、音频信号处理器、洗衣机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能照明系统、 OLED显示屏、不间断电源（UPS）、手机、气体报警器、洗衣机、 3D打印机、智能安防摄像头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDN340P	表面贴装型 P 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
FDB075N15A	表面贴装型 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） D²PAK（TO-263）
NTD2955T4G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
FDN360P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3
FDN342P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23-3
FQPF4N90C	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=4.2Ω@10V TO220F
FQU13N10LTU	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251
FDS8984	MOSFET 2N-Channel VDS=30V ID=7A RDS(on)=23mΩ SOIC8_150MIL
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDS6675BZ	表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC

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