DMN65D8LW-7是品牌DIODES美台，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子秤、 微处理器、 稳压电源、 电子榨汁机、 单片机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：DMN65D8LW-7
- 品牌：美台(DIODES)
- 分类：MOSFETs
- 参数：表面贴装型 N 通道 60 V 300mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 微波炉、 电子门禁卡、 笔记本电脑、 机器人、 话筒（麦克风）、 智能手表、 耳机、 冰箱 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| DMP3050LVT-7 | P沟道增强型MOSFET VDS=30V ID=4.5A PD=1.6W TSOT26 |
| DMN10H099SK3-13 | 表面贴装型 N 通道 100 V 17A（Tc） 34W（Tc） TO-252-3 |
| ZVN4106FTA | MOSFETs 60V 350mW SMT SOT23 200mA N-Channel |
| ZXMC3A16DN8TA | MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4.9A，4.1A 1.25W 表面贴装型 8-SO |
| DMN30H4D0L-7 | MOSFET N-CH VDS=300V ID=0.25A VGS=±20V SOT23 |
| DMP3056LDM-7 | MOSFETs 30V 3.00 x 1.60mm SMT SOT26 4.3A P-Channel |
| DMN2400UFB4-7B | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=750mA RDS(ON)=550mΩ@4.5V DFN1006-3 |
| ZXMP6A17E6TA | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@10V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA |
| 2N7002KQ-7 | N沟道增强型MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.38A |
| 2N7002AQ-7 | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=180mA RDS(ON)=6Ω@5V SOT23-3 |
