FCH072N60F_ON_安森美_TO-247-3LD_MOSFETs

Name: FCH072N60F_ON_安森美_TO-247-3LD_MOSFETs
Brand: ON

FCH072N60F 型号参数

FCH072N60F是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如变压器、 3D打印机、空调、摄像头、直流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如投影仪、机器人、电子净水器、电子搅拌器、 3D打印机、电视机、交换机、电源供应器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDG6303N	数字FET，双N沟道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363
BSS123	SOT23-3 360mW
FDB088N08	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK
FDPF20N50FT	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
NTK3043NT1G	MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA
NTR4101PT1G	表面贴装型 P 通道 20 V 1.8A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDN304P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDPF18N50	通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3

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