FCH072N60F_ON_安森美_TO-247-3LD_MOSFETs

Name: FCH072N60F_ON_安森美_TO-247-3LD_MOSFETs
Brand: ON

FCH072N60F 型号参数

FCH072N60F是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能照明系统、电子脱毛器、智能门锁、音频线材、可编程逻辑控制器（PLC），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如热水器、电子咖啡机、门禁系统、单片机、 DVD播放器、气体报警器、电子湿度计、显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDN357N	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=1.9A RDS(ON)=60mΩ@10V SOT23-3
FDP075N15A-F102	通孔 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
FDS4935BZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.9A RDS(ON)=22mΩ@10V SOIC8_150MIL
FDD8896	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252
FDG6303N	数字FET，双N沟道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363
FQPF8N80C	通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F-3
FCPF190N60	通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
NDC7002N	MOS管 Dual N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=510mA RDS(ON)=2Ω@10V TSOT23-6
FDMC6686P	表面贴装型 P 通道 20 V 18A（Ta），56A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

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