FDMS86101_ON_安森美_PQFN8_4.9X5.8MM_EP_MOSFETs

FDMS86101 型号参数

FDMS86101是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、 RFID读写器、智能手环、平板电脑、频谱分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
BSS123	SOT23-3 360mW
FDG6303N	数字FET，双N沟道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDN352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=1.3A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23-3
FQA24N60	通孔 N 通道 600 V 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
FDN335N	N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET SOT23-3
MGSF1N03LT1G	表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
NTD3055-094T4G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=94mΩ@10V TO252
NTR5103NT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±30V ID=260mA RDS(ON)=2.5Ω@10V SOT23
FCPF190N60	通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3

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