FDMS86163P_ON_安森美_PQFN8_4.9X5.8MM_EP_MOSFETs

FDMS86163P 型号参数

FDMS86163P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子游戏机手柄、无线网卡、指纹识别器、 OLED显示屏、电子榨汁机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
2N7000TA	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5Ω@10V TO92-3L
FQPF8N80C	通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F-3
FDN357N	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=1.9A RDS(ON)=60mΩ@10V SOT23-3
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FDV303N	表面贴装型 N 通道 25 V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
FQU13N10LTU	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251
FQT1N60CTF-WS	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
NVH4L020N120SC1	TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
NTMFS4C302NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=230A RDS(ON)=1.15mΩ@10V DFN5

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