FDN359BN是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子空气净化器、 电子门禁卡、 RFID读写器、 电动车、 电子助听器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：FDN359BN
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=46mΩ@10V SOT23-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子手表、 网卡、 电子血压计、 心电图仪、 电子温度计、 热水器、 汽车电子控制系统、 电子阅读器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| FCH072N60F | 通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3 |
| BVSS84LT1G | MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=130mA RDS(ON)=10Ω SOT23 |
| FQT1N60CTF-WS | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223 |
| NTD6416ANLT4G | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=19A RDS(ON)=74mΩ@10V TO252 |
| FDMA3023PZ | MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=2.9A RDS(ON)=90mΩ@4.5V MicroFET6 |
| FDS6675BZ | 表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC |
| NTK3134NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
| NTMFS5C612NLT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=235A RDS(ON)=2.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM |
| NTA4151PT1G | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA |
| FDP075N15A-F102 | 通孔 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3 |
