FDN360P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 万用表、 电动自行车控制器、 单片机、 扫描仪、 电动自行车充电器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：FDN360P
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子体温计探头、 智能手环、 扫描仪、 电子按摩器、 电路板、 烟雾报警器、 电子琴、 万用表 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NDS352AP | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=900mA RDS(ON)=500mΩ@4.5V SOT23-3 |
| NTZD3154NT1G | MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±7V ID=540mA RDS(ON)=550mΩ@4.5V SOT563 |
| BSS84 | SOT23-3 360mW |
| NTD6414ANT4G | MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ |
| FDS4935BZ | MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.9A RDS(ON)=22mΩ@10V SOIC8_150MIL |
| FDL100N50F | 通孔 N 通道 500 V 100A（Tc） 2500W（Tc） TO-264-3 |
| FQPF4N90C | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=4.2Ω@10V TO220F |
| NTA4001NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA |
| FDN304P | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3 |
| NTR5103NT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±30V ID=260mA RDS(ON)=2.5Ω@10V SOT23 |
