FDN360P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: FDN360P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

FDN360P 型号参数

FDN360P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如模拟信号处理器（ASP）、电动自行车控制器、微处理器、网卡、电子榨汁机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如万用表、平板电脑、空调、单片机、光纤连接器、人脸识别设备、电子咖啡机、电子手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDY3000NZ	VDS=20V ID=600mA PD=625mW 2 N-Channel SOT563 MOSFETs
FQL40N50	通孔 N 通道 500 V 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264-3
NTJD4001NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA
FDMS86101	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
FDL100N50F	通孔 N 通道 500 V 100A（Tc） 2500W（Tc） TO-264-3
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
NTR1P02T1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=1A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23
NDS9948	MOS管 Dual P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=250mΩ@10V SOIC8_150MIL
FDA24N50	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=24A RDS(ON)=190mΩ@10V TO3PN

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