FDN5618P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: FDN5618P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

FDN5618P 型号参数

FDN5618P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如遥控器、视频线材、电子胎心监测仪、虚拟现实头盔、电子门禁卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如射频连接器、电子除湿机、电动车、模拟信号处理器（ASP）、 3D打印机、智能音箱、平板电脑、投影仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDN337N	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=2.2A VGS=±8V SOT23
NDFP03N150CG	MOS管 N-Channel VDS=1.5KV VGS=±20V ID=2.5A RDS(ON)=10.5Ω@10V TO220F
2N7000TA	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5Ω@10V TO92-3L
FDMA3023PZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=2.9A RDS(ON)=90mΩ@4.5V MicroFET6
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
NVD5117PLT4G-VF01	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=61A RDS(ON)=16mΩ@10V TO252
NTR4003NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT23
FDN304P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3
FDMS86163P	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=7.9A RDS(ON)=22mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA

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