FDN5618P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: FDN5618P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

FDN5618P 型号参数

FDN5618P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如光纤连接器、电子体重秤、移动硬盘、烟雾报警器、 OLED显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如游戏机、话筒（麦克风）、红外感应器、声卡、实验室离心机、电子温度计、音响设备、 MRI扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDN8601	表面贴装型 N 通道 100 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
FDA70N20	通孔 N 通道 200 V 70A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
FDMS86252	MOSFETs PQFN8_5X6MM VDS=150V ID=4.6A
FDV301N	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=220mA RDS(ON)=4Ω@4.5V SOT23
NDS0610	表面贴装型 P 通道 60 V 120mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
FDA24N50	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=24A RDS(ON)=190mΩ@10V TO3PN
FDS4935BZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.9A RDS(ON)=22mΩ@10V SOIC8_150MIL
FDA59N30	通孔 N 通道 300 V 59A（Tc） 500W（Tc） TO-3PN
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FDC5614P	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@10V TSOT23-6

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