FDS4435BZ是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 吸尘器、 信号发生器、 心电图仪、 音频功率放大器、 烟雾报警器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：FDS4435BZ
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 虚拟现实头盔、 热水器、 电子门禁卡、 OLED显示屏、 整流器、 音频信号处理器、 电子脱毛器、 调音台 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NTK3134NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
| NTD6416ANLT4G | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=19A RDS(ON)=74mΩ@10V TO252 |
| FDC6305N | MOSFET–规定的双N沟道电源沟道2.5 V |
| NTR4003NT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT23 |
| FDPF18N50 | 通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3 |
| NTJD5121NT1G | MOS管 Dual N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=295mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SOT363 |
| FDD8424H | MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4 |
| FDA28N50 | 通孔 N 通道 500 V 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN |
| FDT458P | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223 |
| FDMS6681Z | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP |
