FDS4935BZ_ON_安森美_SOIC8_150MIL_MOSFETs

Name: FDS4935BZ_ON_安森美_SOIC8_150MIL_MOSFETs
Brand: ON

FDS4935BZ 型号参数

FDS4935BZ是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如蓝牙耳机、音频信号处理器、话筒（麦克风）、电子计算器、电子厨房计时器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如投影仪、直流电源、电子血压计袖带、电子门禁卡、 LED照明灯、游戏机、 DVD播放器、电动自行车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDB088N08	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK
NTD3055L104T4G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±15V ID=12A RDS(ON)=104mΩ@5V TO252
NTR4502PT1G	表面贴装型 P 通道 30 V 1.13A（Ta） 400mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）
NTZD3154NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±7V ID=540mA RDS(ON)=550mΩ@4.5V SOT563
FQPF4N90C	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=4.2Ω@10V TO220F
FQA140N10	通孔 N 通道 100 V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FDPF18N50	通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
FDC5614P	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@10V TSOT23-6

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