FDT458P_ON_安森美_SOT-223-3_MOSFETs

FDT458P 型号参数

FDT458P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放器、无线网卡、电子按摩器、电子门锁、智能照明系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
BS170	MOSFETs TO-92-3 VDSS=60V ID=500mA N-Channel
NTR5103NT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±30V ID=260mA RDS(ON)=2.5Ω@10V SOT23
FDS4435BZ	MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A
NTR4003NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT23
FDC6305N	MOSFET–规定的双N沟道电源沟道2.5 V
FDPF20N50FT	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
BSS123	SOT23-3 360mW
FDN357N	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=1.9A RDS(ON)=60mΩ@10V SOT23-3
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

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