FQB33N10TM_ON_安森美_TO263-2_MOSFETs

Name: FQB33N10TM_ON_安森美_TO263-2_MOSFETs
Brand: ON

FQB33N10TM 型号参数

FQB33N10TM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像机、移动硬盘、电子灭蚊灯、录像机、 X光机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子体重秤、电路板、电子按摩器、直流电源、计算机、手机充电器、智能安防摄像头、变压器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDC6420C	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6
NDC7002N	MOS管 Dual N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=510mA RDS(ON)=2Ω@10V TSOT23-6
FQA140N10	通孔 N 通道 100 V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
FDS8984	MOSFET 2N-Channel VDS=30V ID=7A RDS(on)=23mΩ SOIC8_150MIL
NTS4001NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA
FDS3512	表面贴装型 N 通道 80 V 4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
FDD16AN08A0	MOSFET N-Channel 75V 50A 16mΩ
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
NVH4L020N120SC1	TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247

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