FQT1N60CTF-WS_ON_安森美_SOT-223-3_MOSFETs

FQT1N60CTF-WS 型号参数

FQT1N60CTF-WS是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子胎心监测仪、烤箱、智能家居控制系统、电动车、蓝牙音箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NTS4001NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70
NTD2955T4G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
FDB088N08	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK
FDA70N20	通孔 N 通道 200 V 70A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
FDN5618P	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.25A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDN8601	表面贴装型 N 通道 100 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
NTJD5121NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=295mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SOT363
NDS0610	表面贴装型 P 通道 60 V 120mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
FDMS6681Z	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP

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