HSBA15810C_HUASHUO_华朔_PRPAK8_5X6MM_MOSFETs

Name: HSBA15810C_HUASHUO_华朔_PRPAK8_5X6MM_MOSFETs
Brand: HUASHUO

HSBA15810C 型号参数

HSBA15810C是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如现场可编程门阵列（FPGA）、显示器、电子游戏机手柄、电子湿度计、虚拟现实头盔，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫地机器人、单片机、吸尘器、饮水机、电子加湿器、音响设备、录像机、无人机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
HSU4115	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：52.1W
HSM4113	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W
HSL6107	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
HSU6032	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：41W
HSBA4115	MOSFETs 1个P沟道耐压:40V 电流:52A PRPAK_5X6MM
HSBB6115	MOSFETs PRPAK3X3 P-Channel 26A
HSH90P06	MOSFETs TO263 P-Channel 85A
HSU70P06	MOSFETs P-沟道 60V 70A 135W 12mΩ@4.5V TO252-2
HSM0228	2个N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W
HSM4115	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：8.7A 功率(Pd)：1.5W

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