HSBA15810C是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 X光机、 无线网卡、 液晶显示器、 智能安防摄像头、 光纤连接器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：HSBA15810C
- 品牌：华朔(HUASHUO)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A PRPAK8_5X6MM
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 整流器、 专用集成电路（ASIC）、 X光机、 微处理器、 安防监控系统、 智能安防摄像头、 电子体重秤、 智能手机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| HSH90P06 | MOSFETs TO263 P-Channel 85A |
| HSBB6056 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：27.8W |
| HSBA6115 | MOSFETs 1个P沟道 耐压:60V 电流:35A DFN8_5.1X5.7MM |
| HSS0127 | MOSFETs SOT23 P-Channel 0.9A |
| AO3400A | MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23 |
| AO3415 | MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L |
| HSL6107 | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W |
| HSM4115 | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：8.7A 功率(Pd)：1.5W |
| HSU6032 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：41W |
| HSP80P10 | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：210W |
