HSH15810_HUASHUO_华朔_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

Name: HSH15810_HUASHUO_华朔_TO-263(D²Pak)_MOSFETs
Brand: HUASHUO

HSH15810 型号参数

HSH15810是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、微处理器、扫描仪、实验室离心机、路由器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如不间断电源（UPS）、电子胎心监测仪、电子翻译器、集成电路板、功放器、电子手表、复印机、蓝牙音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
HSM4115	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：8.7A 功率(Pd)：1.5W
HSBA15810C	MOSFETs 1个N沟道耐压:100V 电流:100A PRPAK8_5X6MM
HSM0228	2个N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W
HSU6032	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：41W
HSU4103	MOSFETs P-沟道 40V 27A 46mΩ@4.5V TO252
HSU70P06	MOSFETs P-沟道 60V 70A 135W 12mΩ@4.5V TO252-2
HSU4115	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：52.1W
HSM4805	双P-Ch 30V快速开关MOSFET
HSL6107	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
HSM6115	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：5W

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