IPP086N10N3 G_Infineon_英飞凌_TO-220-3_MOSFETs
IPP086N10N3 G 型号参数
IPP086N10N3 G是品牌Infineon英飞凌，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子白板、 气体报警器、 液晶显示器、 电子气压计、 专用集成电路（ASIC） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：IPP086N10N3 G
- 品牌：英飞凌(Infineon)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A ,125W,42nC
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 现场可编程门阵列（FPGA）、 MRI扫描仪、 电子胎心监测仪、 路由器、 虚拟现实头盔、 无线网卡、 整流器、 打印机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
