K4F8E304HB-MGCJ是品牌SAMSUNG三星半导体，研发制造的动态随机存取存储器(DRAM)产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子搅拌器、 指纹识别器、 吉他效果器、 信号发生器、 电动自行车充电器 ，动态随机存取存储器(DRAM)与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：K4F8E304HB-MGCJ
- 品牌：三星半导体(SAMSUNG)
- 分类：动态随机存取存储器(DRAM)
- 参数：封装:TFBGA-200
应用场景
动态随机存取存储器(DRAM)可应用场景，如 B超机、 音频线材、 3D打印机、 功放设备、 电子广告牌、 汽车、 变压器、 指纹识别器 等，想要了解更多动态随机存取存储器(DRAM)相关内容知识，可以关注我们。
选型表
