K4F8E304HB-MGCJ_SAMSUNG_三星半导体_TFBGA200_动态随机存取存储器(DRAM)
K4F8E304HB-MGCJ 型号参数
K4F8E304HB-MGCJ是品牌SAMSUNG三星半导体，研发制造的动态随机存取存储器(DRAM)产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 直流电源、 电子手表、 电子除螨仪、 无人机、 移动硬盘 ，动态随机存取存储器(DRAM)与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：K4F8E304HB-MGCJ
- 品牌：三星半导体(SAMSUNG)
- 分类：动态随机存取存储器(DRAM)
- 参数：封装:TFBGA-200
应用场景
动态随机存取存储器(DRAM)可应用场景，如 模拟信号处理器（ASP）、 录像机、 遥控器、 LCD显示屏、 交流电源、 复印机、 智能手表、 显卡 等，想要了解更多动态随机存取存储器(DRAM)相关内容知识，可以关注我们。
选型表
