Name: LDTC143EET1G_LRC_乐山无线电_SC89_带预偏置三极管
Brand: LRC

LDTC143EET1G 型号参数

LDTC143EET1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如人脸识别设备、智能手表、显卡、虚拟现实头盔、智能音箱，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

带预偏置三极管可应用场景，如信号发生器、扫描仪、电子手表、电子血压手环、调音台、指纹识别器、交流电源、万用表等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LMUN2111LT1G	PNP Vceo=50V Ic=100mA hfe=35~60
LMUN5214DW1T1G	NPN,PNP 集电极电流Ic:100mA,直流电流增益hFE:80~140 工作温度：-50~+150℃
LMUN2234LT1G	集电极电流Ic：100mA 额定功率：246mW 晶体管类型：NPN - 预偏压集射极击穿电压Vce：50V NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=80~150
LMUN5314DW1T1G	通用晶体管，SOT363,NPN,PNP
LMUN2214LT1G	集电极电流Ic：- 额定功率：- 晶体管类型：- 集射极击穿电压Vce：-
LDTC114YET1G	NPN硅表面安装晶体管 SC89 50V 100mA
LMUN5211T1G	具有单片偏置电阻网络的NPN硅表面安装晶体管
LMUN5213T1G	偏置电阻晶体管：带有单片偏置电阻网络的NPN硅表面安装晶体管
LMUN2232LT1G	单片偏置电阻网络NPN硅表面贴装晶体管
LMUN2132LT1G	集电极电流Ic：100mA 额定功率：246mW 晶体管类型：PNP - 预偏压集射极击穿电压Vce：50V PNP，Vceo=50V,Ic=100mA