LP3415ELT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP3415ELT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP3415ELT1G 型号参数

LP3415ELT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子温度计、摄像头、电子榨汁机、电动车、信号发生器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如安防监控系统、万用表、电子厨房计时器、摄像头、电子净水器、 USB闪存盘、扫地机器人、电子血压计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW

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