MMDT5551DW_CBI_创基_SOT-363_通用三极管

Name: MMDT5551DW_CBI_创基_SOT-363_通用三极管
Brand: CBI

MMDT5551DW 型号参数

MMDT5551DW是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门锁、人脸识别设备、洗衣机、机器人、烟雾报警器，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

通用三极管可应用场景，如电子厨房计时器、投影仪、电子阅读器、电子温度计、音频信号处理器、摄像机、调音台、气体报警器等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
78L05	三极管 30V SOT-23
2N5551U	三极管 NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=250 P=500mW SOT89
SS8050 SOT23	通用三极管 NPN 电流:1.5A 耐压:25V SOT-23
MMDT3946DW	晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
S8550 SOT23	通用三极管 PNP 电流:500mA 耐压:25V SOT-23
MMBTA42	晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 300 V 500 mA 50MHz 240 mW 表面贴装型 SOT-23-3
MMBT2222A	SOT23-3,NPN,VCEO=40V,600mA
S9015	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBTSC2412	SOT23-3,NPN,VCEO=50V,150mA
2SC1623W	晶体管（NPN）SOT323

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