MMDT9014DW_CBI_创基_SOT-363_通用三极管

Name: MMDT9014DW_CBI_创基_SOT-363_通用三极管
Brand: CBI

MMDT9014DW 型号参数

MMDT9014DW是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能家居控制系统、 LED显示器、音频功率放大器、虚拟现实头盔、微处理器，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

通用三极管可应用场景，如吸尘器、无线网卡、频谱分析仪、电子体温计探头、手机充电器、智能音箱、烟雾报警器、路由器等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMBT5551	塑料封装晶体管
SS8550	通用三极管 SOT89-3 Vcbo=40V Vceo=25V Ic=1.5A Pc=500mW
S9012T	晶体管（PNP）SOT523
2SC1623W	晶体管（NPN）SOT323
SS8550 SOT89	通用三极管 PNP 电流:1.5A 耐压:25V SOT89-3
S9018	晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：15V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：105@1mA,5V 特征频率(fT)：600MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
2N5551U	三极管 NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=250 P=500mW SOT89
MMDT3946DW	晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
S8050T	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：0.5A 功率(Pd)：300mW
MMDT4403DW	塑料封装晶体管，双PNP

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