MSB40M_MDD_辰达半导体_UMSB_整流桥

Name: MSB40M_MDD_辰达半导体_UMSB_整流桥
Brand: MDD

MSB40M 型号参数

MSB40M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数码相机、电子门锁、空调、电子血压计袖带、蓝牙音箱，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如洗衣机、 B超机、空调、录像机、门禁系统、冰箱、电视机、网卡等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2W10	封装：WOM 参数：VR=400V IF=1A VF=1.1V IR=5uA
KBL406	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):10uA@600V
GBU810	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBU806	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@600V
GBU808	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@800V
GBJ5010	封装:GBJ 正向压降(Vf):1.1V@25A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:50A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MB6F	封装:MBF 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:800mA 反向电流(Ir):5uA@600V
TTR8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):950mV@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):150nA@1kV
MSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
DB107S	封装：DBS 参数：VR=1000V IF=3A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS

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