MSB40M_MDD_辰达半导体_UMSB_整流桥

Name: MSB40M_MDD_辰达半导体_UMSB_整流桥
Brand: MDD

MSB40M 型号参数

MSB40M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调音台、手机、移动硬盘、电子胎心监测仪、 LED显示器，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如电子词典、心电图仪、扫描仪、智能安防摄像头、逆变器、固态硬盘、数字信号处理器（DSP）、电子阅读器等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MB10F	封装：MBF 参数：VR=400V IF=2A VF=1.25V IR=5uA trr=35nS
KBP310	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBP307	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@3A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:3A 反向电流(Ir):10uA@600V
TTR8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):950mV@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):150nA@1kV
MB10S	封装:MBS 正向压降(Vf):1.1V@400mA 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KBL608	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@6A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:6A 反向电流(Ir):10uA@800V
KBU810	封装:KBU 正向压降(Vf):1.1V@8A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@1kV
TT8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):5uA@1kV
GBU1010	桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=10A，IFSM=220A，VF=1.1V，IR=10uA
GBU1010	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV

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