NCE0103M_NCE_无锡新功率_SOT89-3_MOSFETs

Name: NCE0103M_NCE_无锡新功率_SOT89-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE0103M 型号参数

NCE0103M是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如示波器、调制解调器、耳机、电动自行车充电器、电动工具，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如路由器、电子手表、电子助听器、信号发生器、 3D打印机、 DVD播放器、数码相机、 RFID读写器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCEP018N85LL	NCEP018N85LL
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W

型号相关

热门型号