NCEP1520K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCEP1520K 型号参数

NCEP1520K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如话筒（麦克风）、电子游戏机手柄、智能家居控制器、电子血压手环、平板电脑，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCE8295AK	MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCE0208KA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W

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