NDS351AN_ON_安森美_SOT23-3_MOSFETs

Name: NDS351AN_ON_安森美_SOT23-3_MOSFETs
Brand: ON

NDS351AN 型号参数

NDS351AN是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、电子翻译器、机械硬盘、 B超机、安防摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如显示器、蓝牙音箱、 MP3播放器、交换机、智能手表、智能音箱、电磁炉、智能家居控制系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDN360P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3
FDMS86101DC	表面贴装型 N 通道 100 V 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
NTS2101PT1G	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±8V ID=1.4A RDS(ON)=100mΩ@4.5V SOT323
FQPF6N90C	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=6A RDS(ON)=2.3Ω@10V TO220F
2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3
NTR4171PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23
FDA28N50	通孔 N 通道 500 V 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
BSS138LT1G	SOT23 225mW
FCH072N60F	通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA

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