NTD6415ANLT4G-VB_VBsemi_微碧_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NTD6415ANLT4G-VB 型号参数

NTD6415ANLT4G-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微波炉、电子体温计探头、复印机、智能门锁、手机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
CJ2312	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
STS12NF30L-VB	MOSFETs N沟道耐压:30V SOP-8
VBL2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=48mΩ@10V TO263
VBI1101M	MOS管 N-channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.2A RDS(ON)=125mΩ@4.5V SOT89
IRF540NPBF	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=35mΩ@4.5V TO220AB
IRF4905PBF-VB	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO-220-3
NDS331N-NL	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
VBK3215N	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
SI1967DH-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6

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