NTR5105PT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: NTR5105PT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

NTR5105PT1G 型号参数

NTR5105PT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、移动硬盘、蓝牙耳机、电动自行车控制器、电子温度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如摩托车、机器人、烟雾报警器、电视机、频谱分析仪、路由器、信号发生器、网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NDS352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=900mA RDS(ON)=500mΩ@4.5V SOT23-3
NTMFS4C302NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=230A RDS(ON)=1.15mΩ@10V DFN5
FDN359BN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=46mΩ@10V SOT23-3
FDV303N	表面贴装型 N 通道 25 V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
FDN342P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23-3
FDN360P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3
NTD2955T4G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
FCD5N60TM	表面贴装型 N 通道 600 V 4.6A（Tc） 54W（Tc） TO-252AA
FQB33N10TM	MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=33A RDS(ON)=52mΩ@10V TO263-2L
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA

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