P9006EDG_VBsemi_微碧_TO252AA_MOSFETs

Name: P9006EDG_VBsemi_微碧_TO252AA_MOSFETs
Brand: VBsemi

P9006EDG 型号参数

P9006EDG是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压手环、视频线材、电视机、吸尘器、频谱分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫描仪、逻辑分析仪、智能照明系统、电子白板、固态硬盘、投影仪、电子净水器、电子灭蚊灯等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDV305N-NL-VB	MOSFETs N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23
RFD16N05LSM9A-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:35A TO-252
NTS2101PT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323
SI7848DP-T1-GE3-VB
AO6801A	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
IRLU3410PBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:15A TO-251
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
VB1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.6A RDS(ON)=141mΩ@4.5V SOT23
MEM2302	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
2N7002KB	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23

型号相关

热门型号