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PMDT290UCE_115_Nexperia_安世_SOT666_MOSFETs

PMDT290UCE,115 型号参数

PMDT290UCE,115是品牌Nexperia安世,研发制造的MOSFETs产品型号,是电路的基本组成部分,该型号可应用很多设备,如 专用集成电路(ASIC)、 MRI扫描仪、 安防监控系统、 蓝牙音箱、 信号发生器 ,MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

  • 型号:PMDT290UCE,115
  • 品牌:安世(Nexperia)
  • 分类:MOSFETs
  • 参数:类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):800mA;550mA 功率(Pd):330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@4.5V,500mA;670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA;800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):450pC@4.5V;760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):55pF@10V;58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):7pF@10V;

应用场景

MOSFETs可应用场景,如 电子秤可编程逻辑控制器(PLC)OLED显示屏电子湿度计电子签到系统电子广告牌X光机电子阅读器 等,想要了解更多MOSFETs相关内容知识,可以关注我们。


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