PMPB20ENZ_Nexperia_安世_DFN2020MD-6_MOSFETs

Name: PMPB20ENZ_Nexperia_安世_DFN2020MD-6_MOSFETs
Brand: Nexperia

PMPB20ENZ 型号参数

PMPB20ENZ是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微处理器、烤箱、视频线材、手机、摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如数字信号处理器（DSP）、内存条、冰箱、电子罗盘、功放设备、电动车、电子手表、扫地机器人等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
PH2530AL,115	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100mA RDS(ON)=2.4mΩ@10V SOT669
PSMN8R7-80BS,118	MOS管 N-channel Id=90A VDS=80V SOT404
NX7002AKS,115	60 V，双N沟道沟道MOSFET
PHD97NQ03LT,118	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±20V ID=75A RDS(ON)=6.3mΩ@10V TO252
BUK9M17-30EX	MOS管 N-channel Id=37A VDS=30V SOT1210
PMV40UN2R	MOSFETs 30V 490mW SMT SOT23 4.4A N-Channel
BUK9Y1R6-40HX	MOS管 N-channel Id=120A VDS=40V SOT669
PSMN3R5-30YL,115	MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT669
BUK9Y25-60E,115	MOS管 N-channel Id=34A VDS=60V SOT669
PMF63UNEX	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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