PSMN3R3-80ES,127是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 蓝牙耳机、 台式电脑主机、 智能安防摄像头、 电子计算器、 MP3播放器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：PSMN3R3-80ES,127
- 品牌：安世(Nexperia)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-channel Id=120A VDS=80V SOT226
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电源供应器、 模拟信号处理器（ASP）、 智能安防摄像头、 安防监控系统、 音频信号处理器、 稳压电源、 电磁炉、 音频功率放大器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| PMPB48EP,115 | MOS管 P-channel Id=6.8A VDS=30V DFN2020MD-6 |
| BUK9Y58-75B,115 | MOS管 N-channel Id=20.73A VDS=75V SOT669 |
| PMF63UNEX | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) |
| PMF370XN,115 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：870mA 功率(Pd)：560mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：440mΩ@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA |
| PMPB13XNE,115 | MOS管 N-channel Id=11.3A VDS=30V DFN2020MD-6 |
| BUK78150-55A/CUF | MOS管 N-Channel Id=5.5A VDS=55V SOT223 |
| BUK964R1-40E,118 | MOS管 N-channel Id=75A VDS=40V SOT404 |
| BSS84AKVL | MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=180mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23 |
| PMZ390UNEYL | MOS管 N-channel Id=0.9A VDS=30V DFN1006-3 |
| PSMN6R5-25YLC,115 | MOS管 N-channel Id=64A VDS=25V SOT669 |
