PSMN6R4-30MLDX_Nexperia_安世_SOT-1210_MOSFETs

Name: PSMN6R4-30MLDX_Nexperia_安世_SOT-1210_MOSFETs
Brand: Nexperia

PSMN6R4-30MLDX 型号参数

PSMN6R4-30MLDX是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 DVD播放器、功放器、摄像机、打印机、安防摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能门锁、洗衣机、音响系统、录像机、实验室离心机、电子门禁卡、无人机、音频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
PSMN4R3-100PS,127	MOSFETs 100V 338W DIP TO220AB 120A N-Channel
PMZ200UNEYL	MOSFETs 30V 350mW SMT SOT883 1.4A N-Channel
PMXB56ENZ	MOSFETs 30V 400mW SMT SOT1215 3.2A N-Channel
BUK768R1-100E,118	MOS管 N-Channel Id=100A VDS=100V SOT404
BUK9Y09-40B,115	MOS管 N-channel Id=75A VDS=40V SOT669
PSMN1R0-40SSHJ	MOS管 N-channel Id=325A VDS=40V SOT1235
PMF250XNEX	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：212mΩ@4.5V,900mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.05nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：81pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：8.5pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
PMGD175XNEX	30 V，双N沟道沟道MOSFET SOT363
PSMN1R7-30YL,115	MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT669
BUK9640-100A,118	MOS管 N-channel Id=39A VDS=100V SOT404

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