S8550T是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 吉他效果器、 示波器、 电子词典、 数字信号处理器（DSP）、 人脸识别设备 ，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：S8550T
- 品牌：创基(CBI)
- 分类：通用三极管
- 参数：晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：0.625W
应用场景
通用三极管可应用场景，如 光纤连接器、 电子广告牌、 电子琴、 机械硬盘、 电动自行车充电器、 游戏机、 电子翻译器、 专用集成电路（ASIC） 等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| MMBT3904T | 功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 晶体管类型：NPN |
| SS8550 SOT89 | 通用三极管 PNP 电流:1.5A 耐压:25V SOT89-3 |
| S9012 | 晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) |
| MMDT3946DW | 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) |
| BC847DW | 塑料封装晶体管，双晶体管（NPN+NPN） |
| S9015 | 晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) |
| 2N3906U | 塑料封装晶体管 |
| S8550 SOT23 | 通用三极管 PNP 电流:500mA 耐压:25V SOT-23 |
| C945 | 功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 晶体管类型：NPN |
| S8550 SOT523 | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-523 |
