SI2301DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2301DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2301DS-T1-GE3 型号参数

SI2301DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、现场可编程门阵列（FPGA）、电子按摩器、音响设备、汽车电子控制系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如蓝牙耳机、不间断电源（UPS）、电路板、电子胎心监测仪、整流器、机器人、单片机、烤箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFR48ZTRPBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:50A TO-252
STN3NF06L	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT223
CJ3402	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
CEM4435A	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRLML6246TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
AO7400-VB	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
SPD30P06PG-VB	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=62mΩ@4.5V TO252
IRLML5103GTRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:5.6A SOT-23
SSF2341E	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

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