SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2302DS-T1-GE3 型号参数

SI2302DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子咖啡机、蓝牙耳机、智能门锁、投影仪、视频线材，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如固态硬盘、 MRI扫描仪、网络适配器、电子白板、智能家居控制系统、 LCD显示屏、吉他效果器、电子血压计袖带等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2SJ562	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
VBTA4250N	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=300mA RDS(ON)=650mΩ@4.5V SC75-6
SI1304BDL-VB	MOSFETs N沟道耐压:20V 电流:4A SC-70-3
NTGS3443T1G	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:4.8A SOT23-6
VBJ1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=120mΩ@4.5V SOT223
AO3423	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
RSD050N10TL-VB
FDN537N	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
IRF640NPBF	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=20A RDS(ON)=152mΩ@4.5V TO220AB
VBE2412	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252

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