SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2302DS-T1-GE3 型号参数

SI2302DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LCD显示屏、网络适配器、复印机、门禁系统、电子游戏机手柄，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能音箱、计算机、烟雾报警器、信号发生器、电子琴、音频功率放大器、门禁系统、电子加湿器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM2015-3/TR	MOSFETs P沟道耐压:20V 电流:5A SOT-23
SI2301BDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
2SJ337	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.9A RDS(ON)=72mΩ@4.5V TO251
IRFHM9331TRPBF	MOSFETs P沟道耐压:30V DFN8_3X3MM_EP
AO3402	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
AO4470-VB	MOSFETs N-沟道 SO-8
RU30L30M-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP
SI2301DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
ZXMN6A11DN8TA-VB	MOSFETs 双N沟道耐压:60V 电流:7A SO-8
XP152A12C0MR	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

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