SI2302DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2302DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2302DS-T1-GE3-VB 型号参数

SI2302DS-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子签到系统、电子体温计探头、安防摄像头、 LED照明灯、智能家居控制器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如视频线材、音响系统、电子手表、 CT扫描仪、电子烤箱温度计、人脸识别设备、万用表、电子翻译器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
APM2701AC	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
SSM3K333R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
AP2305GN	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
AP85U03GM-HF-VB	MOSFETs N沟道 30V 18A 5mΩ@4.5V SOP-8
NTGS3443T1G	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:4.8A SOT23-6
WPM2341A-3/TR	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
IRF3710PBF	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=70A RDS(ON)=17mΩ@10V TO220AB
IRF9310TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=8mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
RU30L30M	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP
CJ3402	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23

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