SI2302DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2302DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2302DS-T1-GE3-VB 型号参数

SI2302DS-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子除湿机、调制解调器、电子按摩器、音响系统、万用表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LCD显示屏、智能手表、洗衣机、电动自行车充电器、摄像头、智能手环、电子灭蚊灯、智能音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LR024N	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
IRLML2402TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
FU120N	MOSFETs 1个N沟道耐压:100V 电流:12A TO-251
SM2307PSAC-TRG-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V SOT-23
SI2300DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
IRLU3410PBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:15A TO-251
VB7322	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
APM2701ACC-TRG	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A RDS(ON)=30mΩ,79mΩ@4.5V SOT23-6
RFD16N05LSM9A-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:35A TO-252
IRFR5305TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=25mΩ@4.5V TO252

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