SI2305ADS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2305ADS-T1-GE3 型号参数

SI2305ADS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如蓝牙耳机、电子温度计、调音台、遥控器、功放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
RU30L30M	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP
NDS8435A-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SOP8
ZXMN6A11DN8TA-VB	MOSFETs 双N沟道耐压:60V 电流:7A SO-8
SI2301DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
2N7002BK	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
SI4435DY-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOP-8
APM2701ACC-TRG	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A RDS(ON)=30mΩ,79mΩ@4.5V SOT23-6
IRLU3410PBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:15A TO-251
FDS8447	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=12mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBA2107	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=5mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

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