SI2305CDS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2305CDS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2305CDS-T1-GE3 型号参数

SI2305CDS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车充电器、无线网卡、调音台、逆变器、电子灭蚊灯，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电磁炉、光纤连接器、示波器、蓝牙音箱、电子除湿机、智能手环、 LED显示器、整流器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2305CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
IRFTS9342TRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V SOT23-6
AO4421-VB	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
Si2338DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
NDS8435A-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SOP8
RFD16N05LSM9A-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:35A TO-252
VBTA161K	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=2Ω@4.5V SC75A
IRF7425TR	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10.9A RDS(ON)=15mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRF9310TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=8mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SI2302DS-T1-GE3-VB	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

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