SI4162DY-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

SI4162DY-T1-GE3 型号参数

SI4162DY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如液晶显示器、气体报警器、智能音箱、网卡、专用集成电路（ASIC），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
IRFP240PBF	MOSFETs TO247AC N-Channel VDS=200V ID=20A
SI2323DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI4848DY-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=150V ID=2.7A SOIC8_150MIL
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SI8800EDB-T2-E1	表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot
SI7898DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SI2301BDS-T1-GE3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=2.4A

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