SI4800BDY-T1-GE3_Vishay_威世_SOIC8L_150MIL_MOSFETs

Name: SI4800BDY-T1-GE3_Vishay_威世_SOIC8L_150MIL_MOSFETs
Brand: Vishay

SI4800BDY-T1-GE3 型号参数

SI4800BDY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调音台、可编程逻辑控制器（PLC）、笔记本电脑、复印机、智能音箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手环、单片机、无人机、智能插座、功放设备、万用表、电动自行车、电子咖啡机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI2343DS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4A
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2304DDS-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=3.3A SOT23
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI2319CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=4.4A RDS(ON)=77mΩ@10V SOT23-3
2N7002E-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236

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