SI7149DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SI7149DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7149DP-T1-GE3 型号参数

SI7149DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、电子搅拌器、机械硬盘、台式电脑主机、交流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子厨房计时器、电子门禁卡、游戏机、电饭煲、电子白板、打印机、智能安防摄像头、稳压电源等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
IRFD9120PBF	通孔 P 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
IRF9640STRLPBF	表面贴装型 P 通道 200 V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
IRF530PBF	通孔 N 通道 100 V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI4162DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI1308EDL-T1-GE3	MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

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