SI7617DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

SI7617DN-T1-GE3 型号参数

SI7617DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如整流器、数字信号处理器（DSP）、电子美容仪、交流电源、网络适配器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SI2325DS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
IRFRC20PBF	表面贴装型 N 通道 600 V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
SI4403CDY-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 13.4A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8
SI7489DP-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=41mΩ@10V

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