SI7617DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

Name: SI7617DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7617DN-T1-GE3 型号参数

SI7617DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子手表、液晶显示器、固态硬盘、电子血压手环、吸尘器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动车、信号发生器、电视机、平板电脑、打印机、声卡、智能手机、电路板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFP250PBF	通孔 N 通道 200 V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247AC
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
SI2323DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI4178DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI7489DP-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=41mΩ@10V
SI7613DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK® 1212-8

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