SIDR622DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_5X6MM_MOSFETs

Name: SIDR622DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_5X6MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIDR622DP-T1-GE3 型号参数

SIDR622DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如机械硬盘、单片机、电子计算器、网络适配器、示波器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电磁炉、路由器、电子血压计、电子广告牌、烟雾报警器、安防摄像头、显卡、扫地机器人等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SUD50P10-43L-GE3	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=43mΩ@10V DPAK
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI2307BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI4202DY-T1-GE3	MOSFETDual N-Channel VDS=30V ID=12.1A PD=3.7W SOIC8_150MIL
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3

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