SIR882ADP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SIR882ADP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIR882ADP-T1-GE3 型号参数

SIR882ADP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如耳机、手机充电器、功放设备、电动车充电器、电视机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如录像机、安防摄像头、音响系统、集成电路板、电子按摩器、平板电脑、电子翻译器、逻辑分析仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFR310TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
IRF640PBF	通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8
SIS412DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8
SIZ342DT-T1-GE3	MOSFETDLN-CH30VPOWERPAIR3X3
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
SI3456DDV-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP

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